躋身世界先進！國研院半導體中心偕旺宏 成功開發新型高密度高頻寬3D記憶體 - 自由財經

國研院半導體中心攜手電子大廠旺宏成功開發新型高密度高頻寬3D隨機存取記憶體。（記者楊媛婷攝）

〔記者楊媛婷／台北報導〕人工智慧（AI）晶片效能決定在HBM高頻寬記憶體，國研院半導體中心與旺宏電子合作開發新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體」（3D DRAM），具體積小、高頻寬、能耗低、耐用度高等優勢，能源消耗量較現有記憶體降低百倍以上，落地量產則預估要5到10年。

隨AI在日常的運用漸廣，AI晶片需求大幅增加，也帶動對記憶體的需求，不過傳統記憶體已達密度上限，效能有限，記憶體廠商都轉向研發3D堆疊記憶體，增加記憶體密度，提高效能。

台灣半導體研究中心主任侯拓宏表示，日美韓等大廠都在研發3D堆疊記憶體，這次和旺宏合作，使用無電容設計，大幅縮小元件尺寸，還能省電，以兩顆氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO）電晶體串聯而成，能讓體積縮小，並提升資料儲存空間並省電，並且在3D堆疊時更緊密，也透過旺宏公司的專利技術可大幅減少製程步驟並降低成本，解決過去讀寫速度慢、耗能高的缺點，技術比現行HBM高頻寬記憶體更進步，將是下世代的AI晶片。

台灣半導體研究中心元件技術組研究員楊智超表示，這次開發的新型高密度高頻寬3D記憶體技術是躋身世界領先研發團隊；侯拓宏表示目前該技術若要落地，預估要5-10年，但該技術的研發與產官合作，可確保我國在半導體產業持續保持領先地位。

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